抚州变压器设计中最常用的11个计算公式总结

MOSFET管工作的最大占空比Dmax：

式中：Vor为副边折射到原边的反射电压，当抚州变压器输入为AC 220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低电压； VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压，一般取10V。

抚州变压器原边绕lcjyg.com/组电流峰值IPK为:

式中：η为抚州变压器的转换效率；Po为输出额定功率，单位为W。

抚州变压器原边电感量LP:

式中：Ts为管的周期(s)；LP单位为H。

抚州变压器的气隙lg:

式中：Ae为磁芯的有效截面积(cm2)；△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。

抚州变压器磁芯

反激式变换器功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为抚州变压器磁芯，其功率容量AP为

式中：AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是抚州变压器的标称输出功率，单位为W；fs为管的频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是抚州变压器的转换效率；Km为窗口填充系数，一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数，对于铁氧体为1.0。

根据求得的AP值选择余量稍大的磁芯，一般尽量选择窗口长宽之比较大的磁芯，这样磁芯的窗口有效使用系数较高，同时可以减少漏感。

抚州变压器原边匝数NP:

式中：△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)，Ae单位为cm2，Ts单位为s。

抚州变压器副边匝数Ns:

式中：VD为抚州变压器二次侧整流二极管导通的正向压降。

功率管的选择

管的最小电压应力UDS

一般选择DS间击穿电压应比式(9)计算值稍大的MOSFET功率管。

绕组电阻值R：

式中：MUT为平均每匝导线长度(cm)； N为导线匝数；

为20℃时导线每cm的电阻值(μΩ)。

绕组铜耗PCU为：

原、副边绕组电阻值可通过求绕组电阻值R的公式求出，当求原边绕组铜耗时，电流用原边峰值电流IPK来计算;求副边绕组铜耗时，电流用输出电流Io来计算。

磁芯损耗

磁芯损耗取决于工作频率、工作磁感应强度、电路工作状态和所选用的磁芯材料的性能。对于双极性抚州变压器，磁芯损耗PC：

式中：Pb为在工作频率、工作磁感应强度下单位质量的磁芯损耗(W/kg); Gc为磁芯质量(Kg)。

对于单极性抚州变压器，由于磁芯工作于磁滞回线的半区，所以磁芯损耗约为双极性抚州变压器的一半。抚州变压器总损耗为总铜耗与磁芯损耗之和。